袁洁
简介：
1979年生，2002年武汉大学学士，2007年中科院物理所博士，2007-2013年先后任武汉科技大学教师，日本国立物质材料研究所(NIMS)，博士后研究员。2013年加入中科院物理所超导国家重点实验室，2014年入选中科院“引进杰出技术人才”；现任中国科学院物理研究所研究员。
主要研究方向：
- 超导薄膜技术，高通量技术与方法，
- 超导薄膜生长及表征科研仪器设备的研发
- 大数据辅助材料优化与设计技术
过去的主要工作及获得的成果：
1.高通量超导组合薄膜生长技术：
a) 利用高通量技术在国际上首次成功制备了化学组分线性连续变化的铜氧化物La2-xCexCuO4超导组合薄膜，结合多级阵列微桥技术，实现了优于千分之一的掺杂组分的输运特性分辨，满足了高温超导体热点问题量子临界行为对于掺杂的分辨率需求；
b) 开发组合脉冲激光技术，解决对于成分异常敏感体系组合薄膜的生长问题，在国际上首次生长得到了转变温度连续渐变的FeSe超导组合薄膜。
2. 高通量组合薄膜表征技术：
a) 多通道信号探测及处理技术，如：1）利用弹性探针阵列多通道电输运测量方法,将商业化的测试通道数由3增加到16，提升测试效率500%；2）利用通过切换，利用一套源表组合，实现对多个通道信号的测量，并实现电阻，霍尔测量的切换。
b) 低温磁场环境下多维样品平移转动技术，如：1）将原有的单轴360度转动测试升级至双轴旋转全方位角测试。实现组合薄膜样品电、磁等特性的高通量快速表征，2）给传统的点接触测量杆增添样品移动功能，使其满足大面积超导组合薄膜测试的需求。
主要研制或合作开发的科研设备，包括1. 高通量连续组分外延薄膜制备及原位局域电子态表征系统;2. 多通道变温变场电输运测试系统;3. 低温多轴旋转电输运测量系统;4. 扫描式点接触隧道谱测量系统;5. 太赫兹频谱测量和原位低温激光扫描成像系统等。
代表性论文及专利：
申请并授权中国发明专利20项，日本发明专利1项。
发表科研论文90余篇，其中受邀撰写超导相关高通量技术和物质科学数据治理与应用综述与评论5篇。
目前的研究课题及展望：
目前参与承担包括：基金委国家重大科研仪器研制项目，重点项目；科技部国家重点基础研究发展计划项目子课题；中国科学院B类战略性先导科技专项子课题。在项目承担发展新的高通量薄膜技术，研制相应的仪器设备并用以材料性能的优化。
培养研究生情况：
协助培养博士研究生6名
电话：
010-82649927
010-82649827
Email：