韩秀峰
简介：
男，1984年在兰州大学获学士学位，1993年在吉林大学获博士学位。现任中科院物理所研究员、博士生导师、课题组长。1998-2002年在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院等处从事自旋电子学研究。2003年获国家杰出青年基金资助；2007年获基金委创新研究群体基金资助；2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。
主要研究方向：
自旋电子学材料、物理和器件研究。
过去的主要工作及获得的成果：
主持和完成过国家基金委的重点和创新群体基金以及科技部的973项目、国家重点研发计划纳米专项、国家重大科学仪器专项和重大国际合作研究项目等。制备出10余种新型或新结构磁性隧道结；制备出20余种铁磁性或复合结构纳米线及纳米管；发现自旋相关的库仑阻塞磁电阻(CBMR)效应；发展出一种利用纳米尺度的自旋电子学器件有效观测自旋翻转长度可达微米量级的新方法；理论预测并试验观测到自旋相关的量子阱态共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应；制备出新型Pt/YIG/Pt垂直磁子自旋阀并观测到磁激子辅助的电流拖拽效应；研制出新型磁子阀(Magnon Valve)和磁子结(Magnon Junction)并发现磁子阀和磁子结效应。合作研制出一种新型纳米环磁随机存取存储器(Nanoring STT-MRAM,2006)原型器件、率先提出一类基于自旋轨道力矩效应驱动的SOT-MRAM和SOT-Spin Logic(2009)；研制出一种新型数据非易失性多功能可编程的自旋逻辑、一种基于量子阱态的自旋共振隧穿二极管、一种自旋发光二极管、一类基于纳米环磁性隧道结的自旋纳米振荡器和自旋微波探测器以及自旋随机数字发生器原型器件、一种高灵敏度低噪声TMR磁敏传感器中试型器件等。2013年度获北京市科学技术一等奖；2018年度获亚洲磁学联盟奖(AUMS 2018)。合作发表SCI学术论文300余篇；获发明专利授权80余项；有国际会议邀请报告70余次；主编《自旋电子学导论》、并参与撰写《Handbook of Spintronics》等4部专著；现任国际磁学杂志J. Magn. Magn. Mater.的副主编、SPIN、《科学通报》和《物理》等杂志的编委。
代表性论文及专利：
[10] SOT switching in a T-type magnetic configuration with current orthogonal to easy axes.
W. J. Kong, C. H. Wan, and X. F. Han* et al.,
Nature Commun. 10 (2019) 223 (Editors' Suggestion).
[9] Magnon valve effect between two magnetic insulators.
H. Wu and X. F. Han* et al.,
Phys. Rev. Lett. 120 (2018) 097205 (Editors’ suggestion & Featured in Physics).
[8] Magnon valves based on YIG-NiO-YIG all-insulating magnon junctions.
C. Y. Guo, C. H. Wan and X. F. Han* et al., Phys. Rev. B 98 (2018) 134426.
[7] Field-Free Programmable Spin Logics via Chirality-Reversible Spin-Orbit Torque Switching,
X. Wang, C. Wan and X. F. Han* et al., Advanced Materials 30 (2018) 1801318.
[6] Long range phase coherence in double barrier MTJs with large thick metallic quantum well,
B. S. Tao, H. X. Yang, X. F. Han*, Y. Lu* et al., Phys. Rev. Lett. 115 (2015) 157204.
[5] Structural and magnetic properties of various ferromagnetic nanotubes,
X. F. Han, S. Shamaila, R. Sharif et al., Advanced Materials 10 (2009) 1002.
[4] Nanoring MTJ and its application in MRAM demo devices with spin-polarized current switching,
X. F. Han, Z. C. Wen, and H. X. Wei, J. Appl. Phys. 103 (2008) 07E933 (Invited).
[3] Probing spin flip scattering in ballistic nanosystems,
Z. M. Zeng, X. G. Zhang, and X. F. Han* et al., Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 106605.
[2] First-principles theory of quantum well resonance in double barrier Magnetic Tunnel Junctions,
Y. Wang, Z.Y. Lu, X. G. Zhang, and X. F. Han*, Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 087210.
[1] Fabrication of high-magnetoresistance tunnel junctions using Co75Fe25 ferromagnetic electrodes,
X. F. Han and T. Miyazaki et al., Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 283.
目前的研究课题及展望：
(1) 磁子阀、磁子结和磁子晶体管等新型磁子器件及磁子学研究；
(2) 磁性隧道结(MTJ)及隧穿磁电阻(TMR)材料、物理和器件研究；
(3) 磁纳米异质结构及其自旋霍尔效应、自旋转移力矩(STT)效应和自旋轨道力矩(SOT)效应等研究；
(4) 铁磁/多铁性/半导体等复合磁性隧道结及自旋输运性质研究；
(5) 新型磁随机存储器(STT-MRAM, SOT-MRAM)、TMR磁敏传感器、自旋逻辑、自旋纳米振荡器、自旋微波探测器和自旋随机数字发生器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管、自旋晶体管和自旋场效应管等器件研究；
(6) 磁性纳米线和纳米管及其各种复合结构制备研究。
培养研究生情况：
已培养博士毕业研究生42名(含外国留学生8名)；联合培养博士毕业生4名；在读硕博连读研究生10名和外国博士留学生2名；培养出站博士后4名。2007、2008和2017年三次获得“中国科学院优秀研究生指导教师”奖。
其他联系方式：
学生办公室电话：010-8264-8063 (O)
电话：
010-82649268
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