葛琛
简介：
葛琛，中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。2007年山东大学物理学院获得学士学位，2012年中国科学院物理研究所师从杨国桢院士和金奎娟院士硕博连读毕业，同年留在物理所光物理实验室任助理研究员，2015年至2022年任副研究员，2018年起任博士生导师，2022年晋升为研究员。中国科学院青年创新促进会优秀会员，国家优秀青年科学基金获得者。
主要研究方向：
面向类脑智能的氧化物光电材料、物理与器件研究：
1. 激光法精准制备功能氧化物薄膜及异质结构；
2. 探索光诱导氧化物薄膜新颖物理现象；
3. 设计构筑神经形态光/电智能器件原型。
过去的主要工作及获得的成果：
一直致力于氧化物光电材料与器件物理研究，近几年来特别针对新型智能光电器件研究中面临的关键物理问题开展了系统工作。使用激光法生长了多种高质量原子级氧化物光电薄膜；揭示了紫外光诱导二氧化钒光学薄膜非易失相变的新颖现象的物理机制，设计制备了智能光电传感器件并应用于图像识别，被Nature Electronics整版高亮报道；研究了可见光照射下铁电/半导体界面光生电荷转移诱导的铁电畴翻转效应，通过光场/电场联合调控制备出智能光电传感器件；设计制备了多种氧化物人工突触器件。在包括Nature Mater.、Nature Commun.、Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Phys. Rev. Lett.、Light Sci. Appl.等期刊上发表SCI论文100余篇，研究成果入选了“2022年度中国芯片科学十大进展”，被Nature Electronics期刊作为研究亮点报道。承担了国家重点研发计划、国家自然科学基金委、中国科学院等等多个项目。长期担任Nature Electron.、Nature Commun.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.等学术期刊审稿人。
代表性论文及专利：
近期代表性论文：
Xinyan Li, Zhuohui Liu, Ang Gao, Qinghua Zhang, Hai Zhong, Fanqi Meng, Ting Lin, Shiyu Wang, Dong Su, Kuijuan Jin, Chen Ge, and Lin Gu, Ferroelastically protected reversible orthorhombic to monoclinic-like phase transition in ZrO2 nanocrystals, Nat. Mater. 23, 1077 (2024). News & Views "Seeing ferroelectric phase transitions" Nature Materials 23, 1015 (2024).
Pengzhan Li, Mingzhen Zhang, Qingli Zhou, Qinghua Zhang, Donggang Xie, Ge Li, Zhuohui Liu, Zheng Wang, Erjia Guo, Meng He, Can Wang, Lin Gu, Guozhen Yang, Kuijuan Jin, and Chen Ge, Reconfigurable optoelectronic transistors for multimodal recognition, Nat. Commun. 15, 3257 (2024). Editor's Highlights
Zhuohui Liu, Mingzhen Zhang, Qinghua Zhang, Ge Li, Donggang Xie, Zheng Wang, Jiahui Xie, Erjia Guo, Meng He, Can Wang, Lin Gu, Guozhen Yang, Kuijuan Jin, and Chen Ge, All-in-one optoelectronic transistors for bio-inspired visual system, Adv. Mater. 36, 2409520 (2024).
Zhuohui Liu, Qinghua Zhang, Donggang Xie, Mingzhen Zhang, Xinyan Li, Hai Zhong, Ge Li, Meng He, Dashan Shang, Can Wang, Lin Gu, Guozhen Yang, Kuijuan Jin, and Chen Ge, Interface-type tunable oxygen ion dynamics for physical reservoir computing, Nat. Commun. 14, 7176 (2023). Editor's Highlights
Xinyan Li, Hai Zhong, Ting Lin, Fanqi Meng, Ang Gao, Zhuohui Liu, Dong Su, Kuijuan Jin, Chen Ge, Qinghua Zhang, and Lin Gu, Polarization switching and correlated phase transitions in fluorite-structure ZrO2 nanocrystals, Adv. Mater. 35, 2207736 (2023).
Zhaohui Li, Hengjun Liu, Zhiqiang Zhao, Qinghua Zhang, Xingke Fu, Xiangkun Li, Fangchao Gu, Hai Zhong, Yuanyuan Pan, Guihuan Chen, Qinghao Li, Hongsen Li, Yanxue Chen, Lin Gu, Kuijuan Jin, Shishen Yan, Guo‐xing Miao, Chen Ge, and Qiang Li, Space-charge control of magnetism in ferromagnetic metals: coupling giant magnitude and robust endurance, Adv. Mater. 35, 2207353 (2023).
Ge Li, Donggang Xie, Hai Zhong, Ziye Zhang, Xingke Fu, Qingli Zhou, Qiang Li, Hao Ni, Jiaou Wang, Er-jia Guo, Meng He, Can Wang, Guozhen Yang, Kuijuan Jin, and Chen Ge, Photo-induced non-volatile VO2 phase transition for neuromorphic ultraviolet sensors, Nat. Commun. 13, 1729 (2022). Editor's Highlights. Highlighted in Nature Electronics 5, 195 (2022), “Vanadium dioxide remembers the light”.
Hai Zhong, Mingqiang Li, Qinghua Zhang, Lihong Yang, Ri He, Fang Liu, Zhuohui Liu, Ge Li, Qinchao Sun, Donggang Xie, Fanqi Meng, Qiang Li, Meng He, Er-jia Guo, Can Wang, Zhicheng Zhong, Xinqiang Wang, Lin Gu, Guozhen Yang, Kuijuan Jin, Peng Gao, and Chen Ge, Large-scale Hf0.5Zr0.5O2 membranes with robust ferroelectricity, Adv. Mater. 34, 2109889 (2022).
Jiankun Li, Chen Ge, Jianyu Du, Can Wang, Guozhen Yang, and Kuijuan Jin, Reproducible ultrathin ferroelectric domain switching for high-performance neuromorphic computing, Adv. Mater. 32, 1905764 (2020).
Chen Ge, Ge Li, Qingli Zhou, Jianyu Du, Er-jia Guo, Meng He, Can Wang, Guozhen Yang, and Kuijuan Jin, A ferrite synaptic transistor with topotactic transformation, Adv. Mater. 31, 1900379 (2019).
Jingting Yang, Chen Ge, Jianyu Du, Heyi Huang, Meng He, Can Wang, Huibin Lu, Guozhen Yang, and Kuijuan Jin, Artificial synapses emulated by an electrolyte-gated tungsten-oxide transistor, Adv. Mater. 30, 1801548 (2018).
目前的研究课题及展望：
长期致力于面向后摩尔时代的新型功能氧化物光电薄膜与智能传感器件研究，构建人工神经网络，在材料物理与光电原型器件的结合处探索新现象，注重研究应用需求背后的物理问题。
培养研究生情况：
已指导毕业博士生4名，2人获国家奖学金，1人获中科院优秀毕业生，均获得了所长奖学金。在读硕博生4人，每年计划招收硕博连读生或博士生1-2名，欢迎具有科研热情的考生报考，同时欢迎博士后学者加入研究团队。有意向的同学和博后学者请邮件联系。
电话：
010-82648612
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